RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Vergleichen Sie
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Gesamtnote
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,069.2
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
106
Rund um -382% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
106
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,273.7
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,069.2
13.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
734
3201
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB RAM-Vergleiche
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link