RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
42
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2001
3245
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link