RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
42
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2001
2443
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link