RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
2443
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link