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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
43
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2285
3178
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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