RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
43
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
3178
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link