RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 34
    Wokół strony 21% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 19200
    Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    19.1 left arrow 16.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.6 left arrow 11.8
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    27 left arrow 34
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.7 left arrow 19.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    11.8 left arrow 12.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2756 left arrow 3178

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM

Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Porównanie pamięci RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Pamięć RAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Pamięć RAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Pamięć RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Pamięć RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Pamięć RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Pamięć RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Pamięć RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Pamięć RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Pamięć RAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Pamięć RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Pamięć RAM