RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
43
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
9.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2285
2323
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link