RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,451.8
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
65
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,605.9
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,451.8
12.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
878
2994
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68E9W1600 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link