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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Comparar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,451.8
12.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
65
Por volta de -110% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,605.9
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,451.8
12.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
878
2994
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
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Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
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