Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Pontuação geral
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Pontuação geral
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 45
    Por volta de 42% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    12.8 left arrow 11.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.0 left arrow 8.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 1900
    Por volta de 5.58% maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    26 left arrow 45
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.8 left arrow 11.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.0 left arrow 8.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 1900
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2143 left arrow 2387
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RAM 1
RAM 2

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