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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
45
Por volta de 42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
10600
1900
Por volta de 5.58% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
45
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
1900
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2387
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
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