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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
10600
1900
左右 5.58% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
45
读取速度,GB/s
12.8
11.7
写入速度,GB/s
9.0
8.4
内存带宽,mbps
10600
1900
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
2143
2387
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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