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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
42
51
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
42
读取速度,GB/s
9.8
14.7
写入速度,GB/s
8.1
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2476
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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