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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
45
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
34
读取速度,GB/s
12.0
14.7
写入速度,GB/s
7.8
9.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2776
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
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