RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
43
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
8.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2285
2286
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 9905469-136.A00LF 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 5641152 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Mushkin 991586 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link