RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
43
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2286
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link