RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
43
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2286
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link