RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2286
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OCZ OCZ2G8001G 1GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link