Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Gesamtnote
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Gesamtnote
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    43 left arrow 54
    Rund um 20% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.2 left arrow 9.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.3 left arrow 7.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    43 left arrow 54
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.2 left arrow 9.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.3 left arrow 7.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2285 left arrow 1904
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche