RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Comparar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
54
Por volta de 20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
54
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
1904
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link