RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
51
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2285
2687
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link