RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
51
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
51
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
2687
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link