RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
38
Autour de -27% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2517
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link