RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
43
Rund um -34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
11.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2285
2831
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link