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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Razões a considerar
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
43
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
11.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
2831
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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