RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
74
Rund um 42% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
74
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
7.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2285
1616
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link