RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
74
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.3
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
74
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.3
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
1616
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link