RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
37
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2528
2340
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link