RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
71
Rund um -196% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
12.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2915
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5469-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link