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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
比較する
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 9905625-011.A00G 8GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
15.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
71
周辺 -196% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.4
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
24
読み出し速度、GB/s
2,831.6
15.9
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
12.4
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
2915
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
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