RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
42
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
19.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
4215
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link