RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
42
En -110% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
20
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
19.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
4215
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link