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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
42
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.4
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
2104
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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