Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Gesamtnote
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Unterschiede

  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 17000
    Rund um 1.25% höhere Bandbreite
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 42
    Rund um -56% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.6 left arrow 13.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.5 left arrow 7.8
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    42 left arrow 27
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.3 left arrow 14.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.8 left arrow 10.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2181 left arrow 2409
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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