RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
42
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
9.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
2017
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link