RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
27
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
12.5
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1440
2925
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link