RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
34
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
8.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1274
2237
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link