RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
29
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.0
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
8.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1274
2633
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link