RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
5.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.7
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
2633
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link