RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
39
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.0
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
11.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1274
2264
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link