RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,077.3
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
61
Rund um -91% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
61
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,835.2
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,077.3
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
606
3247
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link