RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
61
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
3247
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link