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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,077.3
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
61
Por volta de -91% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
61
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,835.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,077.3
13.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
606
3247
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
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