RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
40
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
3809
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link