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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
43
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
8500
Rund um 2.75 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
13.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
23400
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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CAS Latency (CL) *
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