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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
43
Intorno 30% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
8500
Intorno 2.75 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
43
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
23400
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2794
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
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