RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
40
Rund um -90% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
3167
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link