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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
40
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
3110
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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