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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
40
Intorno -82% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
22
Velocità di lettura, GB/s
12.3
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1806
3110
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Confronto tra le RAM
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Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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