RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
54
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
2511
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link