RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
92
Rund um -149% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
11.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
2841
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link